Het ontstaan van de eerste transistoren (en diodes) staat hier uitgelegd.
Om de werking van een transistor te begrijpen moeten we eerst uitleggen hoe een diode werkt. |
-
Transistoren bestaan uit halfgeleidermateriaal zoals germanium of silicium. De atomen vormen een kristalstruktuur en zuivere germanium of silicium zijn een redelijk goede isolator, maar door onzuiverheden in het kristal kunnen electronen loskomen van hun atoom en zo wordt germanium en silicium gezien als een halfgeleider. Minder dan één atoom onzuiverheid op een miljoen maakt van het kristal een halfgeleider.
Door een spanning aan te leggen komen elekronen los uit het rooster en ontstaat er zo een kleine stroom. Als de temperatuur opgevoerd wordt, komen er meer electronen los, waardoor de stroom toeneemt. Dit effekt is vooral merkbaar bij germanium. In bepaalde schakelingen moet men de stroomtoename bij een hogere temperatuur compenseren om beschadiging van de transistor te vermijden. Zuivere germanium of silicium worden echter niet gebruikt omdat de natuurlijke geleiding te zwak is.
Germanium of silicium kan gedopeerd worden met vijwaardige elementen zoals antimoon (Sb). Deze elementen hebben 5 electronen in hun buitenste schil, en dus één electron te veel om een stabiele rooster te vormen. Dit electron komt gemakkelijk los en verbeterd dus de geleiding van germanium of silicium. Deze halfgeleider is N gedopeerd (omdat de electronen een negatieve lading hebben). Een halfgeleider kan ook gedopeerd worden met driewaardige elementen zoals boor of indium (In). Deze elementen hebben een electron te weinig op hun buitenste schil om een stabiele roosterstruktuur te vormen. Hier wordt de electrische stroom gerealiseerd door de electronen die van het ene gat naar het andere springen. De halfgeleider wordt als P gedopeerd aangeduid.
DiodeFiguur 1 (hierboven):Plaatst men een N en een P gedopeerd halfgeleider tegen elkaar, dan springen de electronen in overvloed van de N-laag naar de P-laag. Er ontstaat een dunne laag, de zogenaamde uitputtingslaag, waar er geen ongebonden electronen (of gaten) meer zijn, deze laag vormt een isolator en maakt dat de diode niet geleid. De uitputtingslaag kan niet onbeperkt groeien, want er ontstaat een electrostatische lading die de verdere beweging van electronen tegen gaat. De atomen zelf zitten vast in een roosterstruktuur en kunnen niet migreren. Het zijn de meer beweeglijke electronen die voor de electrostatische lading zorgen. De twee afbeeldingen links tonen een germanium signaaldiode OA85 die vaak gebruikt werd om het videosignaal in televisies te detecteren. De diode gebruikt nog de oude buizen-nomenclatuur (Philips/Mullard) waarbij de "O" voor "geen gloeispanning" stond. In de Pro-Electron nomenclatuur zal men de letters A en B gebruiken voor germanium en silicium (AA115, BY126,...). Dit is een punt-contact diode, dat was in de tijd de enige manier om diodes te fabriceren (ook de eerste transistoren werden volgens dit proces gemaakt, maar de eigenschappen waren zeer slecht). De eerste puntcontact diodes en transistoren staan hier uitgelegd. Een fijne metalen punt (metaal = overvloed aan electronen) maakt de verbinding met een driewaardig gedopeerd germaniumkristal (driewaardig = te weinig electronen). Op het einde van de fabricage wordt er een gecalibreerde stroom door de diode gestuurd, zodat er een kleine hoeveelheid germanium op die plaats vloeibaar wordt zodat er een legering ontstaat en de eigenschappen van de diode gestabiliseerd worden. De diode is geschikt voor een reverse spanning van 90V en een maximale stroom van 50mA. Bij een stroom van 100µA bedraagt de spanningsval over de diode 0.2V. Punt-contact diodes worden tegenwoordig nog gebruikt in hoogfrekwente toepassingen (radar en satelliet) wegens de zeer lage capaciteit, ongeveer 0.1 à 1pF. Het sysbool van de diode is afgeleid van de vorm van de oorspronkelijke punt-contact diodes.
De electrostatische lading binnen een junctie. De vrije (overmatige) electronen van de ene laag gaan de gaten van de andele laag opvullen, maar daardoor ontstaat er een electrostatische barrière die de verdere doorgang van de electronen tegen houdt. De moleculen zijn nu geïoniseerd (ze hebben een electron teveel of te weinig) maar zitten vast in de roosterstructuur Legt men een spanning aan tussen de twee lagen, dan wordt de uitputtingslaag dikker of dunner naargelang de polariteit (versterking of verzwakking van het electrostatisch veld). Als de spanning voldoende hoog is verdwijnt de uitputtingslaag en gaat de diode geleiden (in één enkele richting). Voor germanium (Ge) bedraagt de minimale spanning 0.1V, voor silicium (Si) 0.6V. Dit is overigens geen plotse overgang: door thermische agitatie (ruis) kunnen er al electronen de sprong door de uitputtingslaag maken bij een lagere spanning.
Zener diodeEen zener diode is vergelijkbaar met een gewone diode, maar de N en P laag is veel sterker gedopeerd. Er zijn dus meer overtollige electronen aan de N kant en meer overtollige gaten aan de P kant. Het gevolg is dat de uitputtingslaag veel dunner is: de potentiaalbarrière wordt sneller opgebouwd.De diode werkt zoals een gewone diode in doorlaatrichting, maar in omgekeerde richting slaat de depletiezone door vanaf een bepaalde spanning, de zenerspanning. Je moet het doorslaan niet zien als een kortsluiting ("de stoppen slaan door"), maar als een natuurkundig fenomeen (tunneleffekt). Als de stroom beperkt wordt tot een veilige waarde raakt de diode niet beschadigd. Een zenerdiode wordt gebruikt als spanningsstabilisator voor lage vermogens of als referentie-element. De ervaring leert dat een zener diode defekt kan gaan, zelfs als die correct gebruikt wordt. De fout doet zich voor na jaren normaal gebruik en wordt gekenmerkt door een volledige kortsluiting.
Varicap diodeDe uitputtingslaag gedraagt zich als een isolator, maar met als voordeel dat men de laag dikker of dunner kan maken, en dus de capaciteit van de diode kan wijzigen. Hoe hoger de aangelegde (inverse) spanning, hoe dikker de uitputtingslaag en hoe lager de capaciteit.Alle diodes vertonen dit effekt, maar er worden speciale diodes gebouwd die een goed gedefinieerde uitputtingszone hebben (en dus ook een welbepaalde capaciteit bij een bepaalde spanning). Ze worden gebruikt in hoogfrekwente afgestemde kringen om de frekwentie te wijzigen, bijvoorbeeld in televisie en FM tuners. Ze worden ook gebruikt om de frekwentiedrift van afgestemde kringen tegen te gaan (verlopen van de frekwentie), dit is de AFC die bijvoorbeeld in FM tuners gebruikt wordt (automatic frequecy control). Er zijn twee voorbeelden van gebruik van een varicapdiode voor de automatische fijnafstemming op de pagina transistorradios.
Schottky en PIN diodesDe schottky diode wordt gebruikt voor het gelijkrichten van lage spanningen en wordt op een volgende pagina besproken. Ze worden ook toegepast bij hoogfrekwente toepassingen in het GHz gebied (detectie van radarsignalen en dergelijke).De PIN diode heeft een extra weinig gedopeerde zone tussen de P en de N laag. Deze zone heeft een intrinsieke slechte geleiding omdat die laag uit nagenoeg zuiver silicium bestaat. De diode wordt gebruikt om hoogfrekwente signalen te schakelen. Deze diode heeft geen aangepaste symbool. En we gaan verder met de werking van de transistor. |
Publicités - Reklame