|
L'historique du transistor
- Les transistors à pointe de contact et le transistron
- Les premiers transistors étaient basés sur les diodes à pointes de contact, qui étaientd éjà utilisées pandant la seconde guerre mondiale pour la détection de signaux haute fréquence (radar). Les diodes avaient de très bonnes caractéristiques, mais les transistors à pointe de contact étaient fabriqués manuellement et il y avait beaucoup de transistors défaillants.
Le transistron était la version européenne des transistors à pointes de contact.
- Le transistor à jonction
- La seconde génération de transistors était fabriquée différemment et une production industrielle était possible. La puissance maximale passe de 10mW à 100mW. On parle ici pour la première fois de jonctions, mais tous les transistors sont basés sur la présence de jonctions, L'interface entre deux couches.
- Les transistors modernes
- Le transistor à couche a une autre construction qui permet d'améliorer les caractéristiques du transistor. Les transistors peuvent travailler à une fréquence plus élevée, peuvent dissiper une puissance plus élevée et les paramètres sont plus stables d'un transistor à l'autre.
Transistors unijonction
Les transistors unijonction (UJT) sont un type particulier de transistor qui ressemblent dans leur fonctionnement plus à un thyristor qu'à un transistor. Il a été développé simultanément avec les transistors à pointes de contact.
Le transistor unijonction a beaucoup été utilisé dans les années 1960 car il pouvait à lui seul remplacer deux transistors dans certains oscillateurs. Comme il n'est plus utilisé dans les montages modernes, il est repris sur cette page historique.
Le transistor moderne:
le transistor à couches
Le transistor planar (plat) a remplacé le transistor à jonctions. Le transistor à couche est également un transistor à jonction et le transistor à jonction est aussi un transistors à couches, mais ce sont ces noms qui sont restés.
Le collecteur a une plus grande surface, ce qui permet une meilleure dissipation. La base est plus petite et la capacité parasite est plus petite, ce qui permet au transistor de travailler à une fréquence plus élevée. Alors que la construction d'un transistor à jonction commence à partir de la base (la partie la plus volumineuse), la construction commence ici à partir du collecteur.
10 ans après la fabrication commerciale des premiers transistors au germanium, on passe au silicium. La fabrication est plus complexe à cause des températures plus élevées, mais le transistor peut travailler à une température plus élevée. A une température plus basse le courant de fuite est plus faible.
Photo à gauche
Découpe d'un 2N2222
Le capuchon métallique est retiré.
Le transistor a son émetteur à gauche et la base à droite sur le haut de la puce de silicium. Le collecteur est la partie inférieure de la puce et fait contact avec le boitier métallique qui permet plus aisément d'évacuer la température. C'est à la jonction entre la base et le collecteur que la dissipation est maximale.
La version "A" du transistor peut fournir un courant de 800mA, la tension maximale est de 40V et la dissipation à l'air libre est de 500mW (1.8W si le boitier est maintenu à 25°). La fréquence maximale est de 300MHz et le gain en courant est de 100× au minimum.
Les transistors actuels sont appellés BJT (Bipolar Junction Transistor): le fonctionnement est déterminé par les deux jonctions. Il y a également des transistors avec une seule jonction (UJT) et des transistors sans jonction active: ce sont les transistors à effet de champ (FET: Field Effect Transistor).
Le fonctionnement des transistors (et des diodes, des thyristors et des autres types de transistors modernes) est décrit ici.
| 
